SUD19P06-60-E3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SUD19P06-60-E3 datasheet
-
МаркировкаSUD19P06-60-E3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеVishay Intertechnology SUD19P06-60-E3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 18.3 A Resistance Drain-Source RDS (on): 60 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-252-3 Fall Time: 30 ns Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 2.3 W Rise Time: 9 ns Factory Pack Quantity: 2000 Typical Turn-Off Delay Time: 65 ns
-
Количество страниц8 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
03.06.2024
03.06.2024
02.06.2024